安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用
2020-3-12 來源：安森美半導(dǎo)體 作者：-
新的SiC MOSFET器件實(shí)現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴(yán)苛條件下工作。
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。 這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si） MOSFET根本無法實(shí)現(xiàn)的。
安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性。快速本征二極管具有低反向恢復(fù)電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。
小芯片尺寸進(jìn)一步增強(qiáng)高頻工作，達(dá)至更小的器件電容和更低的門極電荷-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時(shí)的開關(guān)損耗。這些增強(qiáng)功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾（EMI），并可使用更少（或更小）的無源器件。極強(qiáng)固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現(xiàn)代電源應(yīng)用至關(guān)重要。較低的正向電壓提供無閾值的導(dǎo)通狀態(tài)特性，減少器件導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的靜態(tài)損耗。
1200 V器件的額定電流高達(dá)103 A（最大ID），而900 V器件的額定電流高達(dá)118 A。對于需要更高電流的應(yīng)用，安森美半導(dǎo)體的MOSFET可易于并聯(lián)運(yùn)行，因其正溫系數(shù)/不受溫度影響。
安森美半導(dǎo)體電源方案部功率MOSFET分部副總裁/總經(jīng)理Gary Straker針對新的SiC MOSFET器件說：“如果設(shè)計(jì)工程師要達(dá)到現(xiàn)代可再生能源、汽車、IT和電信應(yīng)用要求的具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標(biāo)，他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導(dǎo)體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的，包括更低的損耗，更高的工作溫度，更快的開關(guān)速度，改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導(dǎo)體為進(jìn)一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具，簡化和加速設(shè)計(jì)流程。”
安森美半導(dǎo)體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物，針對汽車應(yīng)用的器件都符合AEC-Q100車規(guī)和生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序（PPAP）。所有器件都采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247或D2PAK封裝。
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